国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“存储器单元”的专利，公开号CN121240462A，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本公开涉及存储器单元。一种电子装置包括形成行和列的以阵列布置的多个存储器单元。每个存储器单元包括电阻加热元件、由相变材料制成的层、上部电极和掩模层的堆叠体。由相变材料制成的层、上部电极和掩模层对于相同行的存储器单元是公共的，并且由包封层覆盖。包封层覆盖掩模层的上表面和掩模层、上部电极和由相变材料制成的层的侧面。掩模层具有低于15nm的厚度。

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